적외선 질화물 나노컬럼 LED 작성 : 관리자 조회 : 542 등록일: 2012-08-30 관련링크 본문 일본 소피아 대학은 인듐 갈륨 질화물 (InGaN) 반도체 기반 1.46μm 적외선 발광 다이오드 (LED)를 개발했다 [Katsumi Kishino et al, Appl. Phys. Express, vol5, p031001, 2012]. 이 소자는 약 87%의 높은 인듐 농도의 액티브 영역 성장을 위해 나노컬럼들 내 질화물을 성장시키고 홀 주입 층으로 약 30%의 낮은 인듐 농도를 이용하여 개발됐다. 새로운 소자 제조 방법은 근거리 내 광통신용으로 ....▶자세히 보기 목록
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