플래시 메모리 응용을 위해 실리콘 산화막에 접목된 게르마늄에 의한 터널링 전류 변화 작성 : 관리자 조회 : 526 등록일: 2012-08-30 관련링크 본문 게르마늄(Ge; germanium)이 포함된 실리콘(Si) 산화막의 전류-전압 특성을 조사하였다. 10 MV/cm보다 더 큰 전계에서 전류의 증가가 관찰되었다. 이와 같은 높은 전계에서의 전류 증가는 `읽기`의 효율 저하 없이 `프로그래밍`의 효율을 증가시킨다. 터널 산화막/기판 접합면 주위의 Ge4+ 상태에서, Ge 불순물은 트랩-지원된 터널링(trap-assisted tunneling)에 의해 전류를 증대시키고....▶자세히보기 목록
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